Polarização de transistor e amplificador emissor comum

Ponto de operação

VB = Vcc · R2 ÷ (R1 + R2); IE = (VB − Vbe) ÷ RE; IC = IE · β ÷ (β + 1); VCE = Vcc − IC · RC − IE · RE; re = 25,85 mV ÷ IE

Com Vcc de 12 V, R1 de 47 kΩ e R2 de 10 kΩ, a base fica em 2,11 V. Com Vbe de 0,7 V e RE de 1 kΩ, a corrente de emissor é de 1,41 mA e a de coletor, 1,4 mA. A tensão coletor-emissor é de 7,52 V: o transistor está na região ativa.

Ganho do emissor comum

A resistência dinâmica do emissor é de 18,4 Ω. Com RE sem desacoplamento o ganho de tensão é de cerca de −2,2; com RE desacoplado por capacitor, −119,6. O sinal negativo indica a inversão de fase. O divisor é rígido quando a corrente nele é pelo menos 10 vezes a de base: aqui a razão é de 22,6.

Com RC de 4,7 kΩ e RE de 1 kΩ, o VCE calculado é de −5,29 V e o transistor fica na região de saturação; na saturação, as correntes reais ficam abaixo das calculadas e o VCE real é de cerca de 0,2 V.

Limites

• Vbe de 0,7 V é aproximação de silício em condução, entre 0,6 e 0,7 V, e é editável; β varia muito entre unidades e com a temperatura.
• O modelo é o de divisor rígido: as correntes do divisor e da base interagem, e quando a razão fica abaixo de 10 o resultado perde exatidão.
• A resistência re usa 25,85 mV, a tensão térmica a cerca de 300 K; é um modelo de pequenos sinais, sem efeito Early nem capacitâncias.

Perguntas frequentes